工艺结构及材料使用
1、 G＋F工艺
工艺结构：cover glass+film sensor。 特点：此工艺用单层film
sensor，ITO为三角形结构，只支持单点，可做到虚拟两点手势。
优点：开模成本很低，性价比高，单价属电容TP中低的结构，总厚度可做薄，透光性好，交期短，Cover外形可更换。
缺点：单点为主，手写较差，虚拟两点手势准确度差。
G＋F＋F ↓
工艺结构：cover glass+film sensor+film sensor。
特点：此结构用两层film sensor，ITO为菱形结构，支持真实多点操作。
优点：准确度高，手写效果好，支持真实两点，cover外形可更变。
缺点：透光性差，比G/G结构低5%。价格比G/F高，比G/G低。
G＋G ↓
结构：cover glass+glass sensor
特点：此结构用单层glass sensor，ITO为菱形结构，支持真实多点。
优点：准确度高，透光性好，手写效果好。支持真实多点，cover外形可更变，可靠性好及使用寿命长。
缺点：受撞击后的底面glass sensor容易破坏，开发成本高，周期长，可替换性差。
